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              西雙版納CKG-60三靶共濺薄膜制備

              西雙版納CKG-60三靶共濺薄膜制備

              • 所屬分類:西雙版納共濺薄膜制備
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              • 發布日期:2020-08-07 15:38:24
              • 產品概述
              • 性能特點
              • 技術參數

              CKG-60三靶共濺薄膜制備系統

              設備用途:

              CKG-60三靶共濺薄膜制備系統金屬和合金薄膜、半導體薄膜、磁性材料薄膜、氧化物和氮化物等電介質薄膜、新型功能薄膜、多層薄膜、多元彌散復合膜的制備。

              主要配置及特點:

              主要由不銹鋼真空室,真空及測量系統,供氣及流量控制系統,多樣品轉臺(加熱、水冷、多層膜),膜厚儀,磁控靶(RF&DC),射頻、直流電源,電氣控制系統以及水冷系統等組成。采用磁控濺射方式沉積薄膜,可用于制備半導體薄膜、金屬薄膜、磁性材料薄膜,以及氧化物、氮化物薄膜等電介質薄膜。工作方式包括單靶獨立濺射沉積、程控輪流分層濺射沉積多層膜、三靶共濺射沉積彌散復合膜等。本系統所制備薄膜的均勻性較好(±5%)。

              技術指標:

              1)真空系統采用機械泵-渦輪分子泵復合系統,30分鐘真空度可達到6×10-4 Pa;

              2)經48小時連續烘烤(120℃),磁控濺射室優于8×10-6 Pa;

              3)濺射功率:<3000W;

              4)基片加熱溫度:室溫~800℃;

              5)基片最 高偏壓:-200V;

              6)膜厚不均勻性:±5%范圍內;

              7)靶片直徑:76mm;

              8)樣品直徑:76mm。

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