1. 磁控濺射,東北磁控濺射廠家,電弧熔煉
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              西雙版納JGP-450型單室磁控濺射

              西雙版納JGP-450型單室磁控濺射

              • 所屬分類:西雙版納磁控濺射
              • 瀏覽次數:
              • 發布日期:2020-08-07 15:36:58
              • 產品概述
              • 性能特點
              • 技術參數

              JGP-450型單室磁控濺射系統

              設備用途

              JGP-450型單室磁控濺射系統用于納米級單層及多層功能膜、 硬質膜、 金屬膜、 半導體膜、 介質膜等新型薄膜材料的制備??蓮V泛應用于大專院校、 科研院所的薄膜材料科研與小批量制備。

              ◆設備組成

              系統主要由濺射真空室、 磁控濺射靶、 基片水冷加熱臺、 工作氣路、 抽氣系統、 真空測量、 電控系統及安裝機臺等部分組成。磁力送樣機構、 工作氣路、 抽氣系統、 安裝機臺、 真空測量及電控系統等部分組成。

              ◆技術指標

              極限真空度:≤6.6×10-5 Pa (經烘烤除氣后);

              系統真空檢漏漏率:≤5.0×10-7 Pa.l/S;

              系統短時間暴露大氣并充干燥氮氣后,再開始抽氣,40分鐘可達到8.0×10-4 Pa;

              停泵關機12小時后真空度:≤5 Pa;

              磁控濺射設備性能舉例:

              1.用直流電源磁控沉積金屬Cu膜,可以制備出沉積速度40nm/min的膜層;同時小樣品的膜厚均勻性可以達到3%;可以在硬質和柔性沉底生長膜層;常溫也可以沉積Cu膜,不脫落,但是結合力不好;

              2.用射頻電源磁控沉積氧化硅和氧化鋁膜層(等各頭氧化物薄膜),可以制備出沉積速度3—5nm/min的膜層;小樣品膜層厚度均勻性可以達到3%;膜層的介電性能較好;

              系統主要由濺射真空室、磁控濺射靶、基片加熱公自轉臺、工作氣路、抽氣系統、安裝機臺、真空測量及電控系統等部分組成。

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